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NP28N10SDE	文件：255.69 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP28N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance RDS(on)1 = 52 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 14 A) RDS(on)2 = 59 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 14 A) • Low Ciss: Ciss = 2200 pF TYP. (VDS = 2 文件：255.69 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP28N10SDE	文件：299.4 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 28A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 52mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.4 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP28N10SDE	文件：984.08 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFETS • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package 文件：984.08 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NP28N10SDE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP28N10SDE-E1-AY	文件：255.69 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP28N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance RDS(on)1 = 52 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 14 A) RDS(on)2 = 59 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 14 A) • Low Ciss: Ciss = 2200 pF TYP. (VDS = 2 文件：255.69 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP28N10SDE-E2-AY	文件：255.69 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP28N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance RDS(on)1 = 52 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 14 A) RDS(on)2 = 59 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 14 A) • Low Ciss: Ciss = 2200 pF TYP. (VDS = 2 文件：255.69 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP28N10SDE_15	文件：255.69 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：255.69 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP28N10SDE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas
NP28N10SDE-E1-AY	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

技术参数

Ciss (pF) typ.：
2200
Package Type：
MP-3ZK/TO-252
Vgs (off) (V) max.：
2.5
Nch/Pch：
Nch
VGSS (V)：
20
Number of Channels：
Single
Pch (W)：
100
Automotive：
YES
Application：
Automotive Use
VDSS (V) max.：
100
Mounting Type：
Surface Mount
ID (A)：
28
Series Name：
NP Series
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
59
QG (nC) typ.：
49
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
52

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