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NP28N10SDE-E2-AY	文件：255.69 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP28N10SDEisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)1=52mΩMAX.(VGS=10V,ID=14A) RDS(on)2=59mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=14A) •LowCiss:Ciss=2200pFTYP.(VDS=2	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP28N10SDE-E2-AY

文件：255.69 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP28N10SDEisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)1=52mΩMAX.(VGS=10V,ID=14A) RDS(on)2=59mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=14A) •LowCiss:Ciss=2200pFTYP.(VDS=2

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更多NP28N10SDE-E2-AY供应商更新时间2025-7-28 20:12:00

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