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NP28N10SDE-E1-AY	文件：255.69 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP28N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance RDS(on)1 = 52 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 14 A) RDS(on)2 = 59 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 14 A) • Low Ciss: Ciss = 2200 pF TYP. (VDS = 2 文件：255.69 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP28N10SDE-E1-AY	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
NP2N7002VR-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23-3	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
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更多NP28N10SDE-E1-AY供应商更新时间2025-12-2 11:51:00