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NTE2301	文件：22.14 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNTransistorHighVoltageHorizontalOutput Description: TheNTE2301isasiliconNPNpowertransistorinaTO218typepackagedesignedforuseinlargescreendeflectioncircuits. Features: •Collector–EmitterVoltage:VCEX=1500V •GlassivatedBase–CollectorJunction •SafeOperatingArea@50µs=20A,400V •Switchin	NTE NTE Electronics	NTE
NUP2301	文件：216.85 Kbytes Page：2 Pages	Lowcap.diodearrayfor2LineHighSpeedUSBprotectiondevic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NX2301P	文件：370.25 Kbytes Page：16 Pages	20V,2AP-channelTrenchMOSFET	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NX2301P	文件：318.47 Kbytes Page：3 Pages	20V,2AP-channelTrenchMOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
NX2301P	文件：916.49 Kbytes Page：16 Pages	20V,2AP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmall SOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusing TrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits 1.8VRDSonratedforLowVoltageGateDrive Veryfastswitching TrenchMOSF	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX2301P	文件：476.29 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
OPA2301	文件：498.93 Kbytes Page：19 Pages	Low-Noise,High-Speed,16-BitAccurate,CMOSOPERATIONALAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA2301	文件：1.16102 Mbytes Page：27 Pages	OPERATIONALAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA2301AID	文件：498.93 Kbytes Page：19 Pages	Low-Noise,High-Speed,16-BitAccurate,CMOSOPERATIONALAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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更多NP2301AVR-G供应商更新时间2025-5-24 11:30:00

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