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NP100P06PDG-E1-AY

RENESASN/A

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深圳市正纳电子有限公司

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Renesas(瑞萨)原厂封装

32078

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深圳市正纳电子有限公司

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Renesas(瑞萨)原厂封装

32078

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RENESAS/瑞萨

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NECTP-263

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NECTP-263

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NECTP-263

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深圳市一线半导体有限公司

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NECTP-263

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NP100P06PDG

NECTO-252

1680

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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NP100P06PDG-E1-AY

Renesas(瑞萨)TO-263

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Renesas(瑞萨)_NP100P06PDG-E1-AY即刻询购立享优惠#长期有订

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Renesas(瑞萨)标准封装

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深圳市诺美思科技有限公司

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RENESAS原厂封装

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RENESAS/瑞萨TO263

10000

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原装现货假一罚十

深圳市胜彬电子有限公司

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NP100P06PDG

NECTO-252

2800

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NECTO252

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原装正品,支持实单

深圳市凌旭科技有限公司

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RENESASTO-263

2260

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只做原装,绝对现货,原厂代理商渠道,欢迎电话微信查

深圳市云美电子科技有限公司

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只做原装进口现货

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RENESAS/瑞萨TO-263

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深圳市东来宝电子科技有限公司

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RENESAS/瑞萨TO-263

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深圳市胜彬电子有限公司是一家以电子元器件供应为主业的高科技企业。我公司以军工IC集成电路、二三极管为主要经营范围。其中ALTERA、XILINX、ATMEL、ADI、TI、INFINEON、FAIRCHILD。们有优势的价格及提供全系列产品的订货,货源稳定,随时可从美国、欧洲、日本、韩国、比利时直

NP100P06PDG-E1-AY/JM中文资料Alldatasheet PDF

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NP100P06PDG-E1-AY功能描述:MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

NP100P06PDG-E2-AY制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP100P06PLG-E1-AY功能描述:MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

NP100P06PLG-E2-AY制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR