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NP100N055PUH	文件：344.12 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP100N055PUK	文件：345.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP100N055PUK	文件：110 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP100N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25mMAX.(VGS=10V,ID=50A) •LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicatio	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100N055PUK	文件：268.66 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25mMAX.(VGS=10V,ID=50A) LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100N055PUK_V01	文件：268.66 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25mMAX.(VGS=10V,ID=50A) LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100N055PUK-E1-AY	文件：110 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP100N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25mMAX.(VGS=10V,ID=50A) •LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicatio	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100N055PUK-E1-AY	文件：268.66 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25mMAX.(VGS=10V,ID=50A) LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100N055PUK-E2-AY	文件：110 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP100N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25mMAX.(VGS=10V,ID=50A) •LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicatio	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100N055PUK-E2-AY	文件：268.66 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25mMAX.(VGS=10V,ID=50A) LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100P04PDG	文件：190.95 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P04PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.5mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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详细参数

型号：
NP
制造商：
House of Batteries
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	NP	NEC	22+	SOT-89	25000	只有原装原装,支持BOM配单	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NQ	松木	23+	TSOP-6	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	NS	2019+	24+	公司大量全新原装现货/长期供应	65300	一级代理/放心购买!	询价
深圳市旺财半导体有限公司	NS		23+	TSSOP-8	16567	正品:QQ;2987726803	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	NT	PANASONIC/松下	23+	SOT523-3	15000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	NV	VISHAY/威世	24+	NA/	10	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	NW	Ai-Thinker(安信可)	2447	DIP	31500	20个/托盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	O2	N/A	2450+	SMT36	6540	只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!	询价
香港创芯邦电子有限公司	O4	FAIRCHILD	23+		24000	现货库存	询价
深圳市福田区亿兴成电子商行	O8	ADI/亚德诺		QFN	6698		询价

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