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SSM6N57NU

丝印:NN7;Package:UDFN6;MOSFETs Silicon N-Channel MOS

1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) 1.8 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 39.1 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 53 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 82 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

文件:272.97 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

详细参数

  • 型号:

    NN7

  • 功能描述:

    MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NN7供应商 更新时间2025-8-10 8:01:00