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SSM6N57NU中文资料东芝数据手册PDF规格书

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厂商型号

SSM6N57NU

功能描述

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

丝印标识

NN7

封装外壳

UDFN6

文件大小

272.97 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 23:01:00

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SSM6N57NU规格书详情

1. Applications

• Power Management Switches

• DC-DC Converters

2. Features

(1) 1.8 V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 39.1 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

RDS(ON) = 53 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)

RDS(ON) = 82 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

产品属性

  • 型号:

    SSM6N57NU

  • 功能描述:

    MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
3390
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