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RM50N60LDV	文件：359.54 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60TI	文件：424.18 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures Vds=60Vo=50A Rds(on)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SGL50N60	文件：563.62 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGL50N60RUF	文件：563.62 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGL50N60RUFD	文件：623.54 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription Fairchild®’sRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitching lossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol, uninterruptedpowersupplies(UPS)andgenerali	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGL50N60RUFD	文件：494.9 Kbytes Page：8 Pages	600V,50AShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription Fairchild®’sRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitching lossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol, uninterruptedpowersupplies(UPS)andgenerali	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGL50N60RUFDTU	文件：494.9 Kbytes Page：8 Pages	600V,50AShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription Fairchild®’sRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitching lossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol, uninterruptedpowersupplies(UPS)andgenerali	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGW50N60HS	文件：355.61 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGW50N60HS	文件：331.07 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytightparameterdistribution •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

产品属性

产品编号：
NGTB50N60SWG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，50A
开关能量：
600µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
70ns/144ns
测试条件：
400V，50A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 50A TO247

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