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NGD8205AN	文件：117.69 Kbytes Page：7 Pages	Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK 文件：117.69 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGD8205AN	文件：258.649 Kbytes Page：7 Pages	Integrated ESD Diode Protection 文件：258.649 Kbytes 页数：7 Pages	LITTELFUSE 力特	LITTELFUSE
NGD8205ANT4G	文件：117.69 Kbytes Page：7 Pages	Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK 文件：117.69 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGD8205N	文件：142.88 Kbytes Page：7 Pages	Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N?묬hannel DPAK 文件：142.88 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGD8205N_12	文件：117.69 Kbytes Page：7 Pages	Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK 文件：117.69 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGD8205NT4	文件：142.88 Kbytes Page：7 Pages	Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N?묬hannel DPAK 文件：142.88 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGD8205NT4G	文件：142.88 Kbytes Page：7 Pages	Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N?묬hannel DPAK 文件：142.88 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGD8205NT4G	文件：117.69 Kbytes Page：7 Pages	Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK 文件：117.69 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGD8205ANT4G	文件：300 bytes Page：1 Pages	点火IGBT 这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管（IGBT）配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路，可用于感应线圈驱动器应用。主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高电压与高电流切换的应用。 • 点火线圈和驱动线圈应用的理想选择\n• DPAK封装占用空间小，可增加电路板空间\n• 栅极发射极ESD保护\n• 温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力\n• 集成ESD二极管保护\n• 低阈值电压将电源载荷接入逻辑或微处理器设备中\n• 低饱和电压\n• 高脉冲电流能力\n• 选配栅极电阻（RG）和栅极发射极电阻（RGE） ;	Littelfuse 力特	Littelfuse
NGD8205AN	文件：300 bytes Page：1 Pages	Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NGD8205NT4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
输入类型：
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值：
-/5µs
测试条件：
300V，9A，1 千欧，5V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
IGBT 390V 20A 125W DPAK

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