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NGD8205AN

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGD8205AN

Integrated ESD Diode Protection

LittelfuseLittelfuse Inc.

力特力特公司

NGD8205ANT4G

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGD8205N

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N?묬hannel DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGD8205N_12

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGD8205NT4

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N?묬hannel DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGD8205NT4G

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N?묬hannel DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGD8205NT4G

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGD8205ANT4G

包装:管件 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 390V 20A DPAK

LittelfuseLittelfuse Inc.

力特力特公司

NGD8205NT4

包装:管件 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 390V 20A 125W DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGD8205NT4G

包装:管件 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 390V 20A 125W DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

8205

LOW-DROPOUTREGULATORS.HIGHEFFICIENCY

Designedspecificallytomeettherequirementforextendedoperationofbattery-poweredequipmentsuchascordlessandcellulartelephones,theA8205SLHvoltageregulatorsofferthereduceddropoutvoltageandquiescentcurrentessentialformaximumbatterylife.Applicablealsotopalmtopcompute

Allegro

Allegro MicroSystems

8205

DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

8205

DualN-ChannelMOSFET

FEATURE zTrenchFETPowerMOSFET zExcellentRDS(on) zLowGateCharge zHighPowerandCurrentHandingCapability zSurfaceMountPackage APPLICATION zBatteryProtection zLoadSwitch zPowerManagement

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

8205

Electronic,2C#20StrTC,PVCIns,PVCJkt,CMG

ProductDescription Electronic,2Conductor20AWG(7x28)TinnedCopper,PVCInsulation,PVCOuterJacket,CMG

BELDEN

Belden Inc.

8205A

20V,18m2,6A,N-ChannelMOSFET

Features ◆20VMOSFETtechnology ◆Lowon-stateresistance ◆Fastswitching ◆Vgs+12V

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟電子台舟電子股份有限公司

8205A

DualN-ChannelEnhancementPowerMosfet

ProductSummary Vos=20V,ID=6A RDS(ON),19.5m2(Typ)@VGS=4.5V RDS(ON),25m2(Typ)@VGS=2.5V TrenchPowerTechnology LowRDS(ON) LowGateCharge OptimizedforFast-switchingApplications

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟電子台舟電子股份有限公司

8205A

DualN-ChannelEnhancementPowerMosfet

Features VDS=20V,ID=6A RDS(ON),19.5mΩ(Typ)@VGS=4.5V RDS(ON),25mΩ(Typ)@VGS=2.5V TrenchPowerTechnology LowRDS(ON) LowGateCharge OptimizedforFast-switchingApplications

UMWUMW

友台友台半导体

8205A

DualN-ChannelMOSFET

FEATURE zTrenchFETPowerMOSFET zExcellentRDS(on) zLowGateCharge zHighPowerandCurrentHandingCapability zSurfaceMountPackage APPLICATION zBatteryProtection zLoadSwitch zPowerManagement

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

8205A

DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    NGD8205

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
2016+
TO252
28374
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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ON
24+
TO252
5000
只做原装公司现货
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RoHSCompliant
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2500
neworiginal
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TO-252
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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TO252
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
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正品授权货源可靠
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1983
纳立只做原装正品13590203865
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TO252
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TO252
20000
原厂原装正品现货
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23+
DPAK-3
35628
全新原装真实库存含13点增值税票!
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更多NGD8205供应商 更新时间2024-5-22 14:31:00