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NGD8205AN

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK

文件:117.69 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGD8205AN

Integrated ESD Diode Protection

文件:258.649 Kbytes 页数:7 Pages

Littelfuse

力特

NGD8205ANT4G

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

NGD8205AN

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK

ONSEMI

安森美半导体

NGD8205ANT4G

点火IGBT

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路,可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高电压与高电流切换的应用。 • 点火线圈和驱动线圈应用的理想选择\n• DPAK封装占用空间小,可增加电路板空间\n• 栅极发射极ESD保护\n• 温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力\n• 集成ESD二极管保护\n• 低阈值电压将电源载荷接入逻辑或微处理器设备中\n• 低饱和电压\n• 高脉冲电流能力\n• 选配栅极电阻(RG)和栅极发射极电阻(RGE) ;

Littelfuse

力特

NGD8205ANT4G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 390V 20A DPAK

Littelfuse

力特

技术参数

  • Collector Current-Continuous ICmax (A):

    20

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V):

    1.3

  • EAS - Single Pulse Collector-to-Emitter Avalanche Energy:

    250

  • Max Power Dissipation (W):

    125

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更多NGD8205AN供应商 更新时间2025-12-13 22:58:00