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NESG2021M05-T1-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NESG2021M05-T1-A
厂商型号

NESG2021M05-T1-A

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification

文件大小

159.35 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-16 15:57:00

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NESG2021M05-T1-A规格书详情

FEATURES

• This device is an ideal choice for low noise, high-gain at low current amplifications.

⎯ NF = 0.9 dB TYP., Ga = 18.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

⎯ NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 22.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

• High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package

产品属性

  • 型号:

    NESG2021M05-T1-A

  • 功能描述:

    射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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