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NESG2021M05-T1-A	文件：159.35 Kbytes Page：14 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification FEATURES • This device is an ideal choice for low noise, high-gain at low current amplifications. ⎯ NF = 0.9 dB TYP., Ga = 18.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ⎯ NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz • Maximum stable power gain: MSG = 22.5 dB T 文件：159.35 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG2021M05-T1-A	文件：729.7 Kbytes Page：14 Pages	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：729.7 Kbytes 页数：14 Pages	CEL	CEL
NESG2021M05-T1	文件：159.35 Kbytes Page：14 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification FEATURES • This device is an ideal choice for low noise, high-gain at low current amplifications. ⎯ NF = 0.9 dB TYP., Ga = 18.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ⎯ NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz • Maximum stable power gain: MSG = 22.5 dB T 文件：159.35 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG250134-AZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SOT89	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
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京海半导体(深圳)有限公司	NESG2021M05-T1-A	NEC	21+	SOT343	10000	原装现货假一罚十	询价
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