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NE856M02-T1 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 NEC/瑞萨

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
1000+
  • 厂家型号：

    NE856M02-T1

  • 产品分类：

    芯片

  • 生产厂商：

    NEC-日本电气

  • 库存数量：

    78800

  • 产品封装：

    SOT-89-3

  • 生产批号：

    24+25+/26+27+

  • 库存类型：

    常用库存

  • 更新时间：

    2025-10-30 16:16:00

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原厂料号：NE856M02-T1品牌：NEC-日本电气

一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

  • 芯片型号：

    NE856M02-T1

  • 规格书：

    下载 下载2

  • 企业简称：

    NEC【瑞萨】详情

  • 厂商全称：

    Renesas Electronics America

  • 中文名称：

    日本瑞萨电子株式会社

  • 内容页数：

    7 页

  • 文件大小：

    63.04 kb

  • 资料说明：

    NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

产品参考属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号：

    NE856M02-T1-AZ

  • 制造商：

    CEL

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

  • 包装：

    托盘

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：

    12V

  • 频率 - 跃迁：

    6.5GHz

  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益：

    12dB

  • 功率 - 最大值：

    1.2W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 20mA，10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作温度：

    150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    TO-243AA

  • 供应商器件封装：

    SOT-89

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

供应商

  • 企业：

    深圳市川科科技有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    刘先生

  • 手机：

    13147005145

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