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NE85619

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NE85619

NONLINEAR MODEL

CEL

California Eastern Labs

NE85619-A

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CELDUCcelduc Relais

凡纪继电器凡纪继电器(上海)有限公司

NE85619-T1

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE85619-T1

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CELDUCcelduc Relais

凡纪继电器凡纪继电器(上海)有限公司

NE85619-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE85619-T1-A

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CELDUCcelduc Relais

凡纪继电器凡纪继电器(上海)有限公司

NE85619-A

Package:SOT-523;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523

CEL

California Eastern Labs

NE85619-T1

Package:SOT-523;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523

CEL

California Eastern Labs

NE85619-T1-A

Package:SOT-523;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523

CEL

California Eastern Labs

详细参数

  • 型号:

    NE85619

  • 功能描述:

    射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶体管极性:

    NPN

  • 最大工作频率:

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    2 V

  • 集电极连续电流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 封装/箱体:

    SOT-223

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CEL
24+
原厂原封
4000
原装正品
询价
NEC
22+
SOT423
3000
原装正品,支持实单
询价
NEC
24+
Mini3P
7500
询价
原厂正品
23+
SOT423
5000
原装正品,假一罚十
询价
NEC
1742+
SOT423
98215
只要网上有绝对有货!只做原装正品!
询价
NEC(VA)
23+
原厂封装
13528
振宏微原装正品,假一罚百
询价
RENESAS
23+
SOT-423
63000
原装正品现货
询价
NEC
6000
面议
19
SMD3
询价
量大可定RENESAS
20+
SOT423
49000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
NEC
24+
SOT423
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
更多NE85619供应商 更新时间2025-5-21 10:44:00