| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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NECSOT-423 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
留言
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NECSOT423 |
180000 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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NECSOT423 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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CEL原厂原封 |
4000 |
17+ |
原装正品 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨SOT-423 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NECSOT423 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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量大可定RENESASSOT423 |
49000 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT423 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
留言
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NECSOT423 |
432000 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOT-423 |
68900 |
NEC |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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ADI/亚德诺原封装 |
66900 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECSOT-423 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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NECSOT323 |
9852 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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NECMini3P |
7500 |
07+/08+ |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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NECSOT-423 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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NECSOT-523 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司7年
留言
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RENESASSOT-423 |
63000 |
23+ |
原装正品现货 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85500 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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NECNA |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT423 |
3000 |
23+ |
NE85619采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NE85619图片
NE85619-T1-A价格
NE85619-T1-A价格：￥2.2259品牌：CEL
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NE85619-T1-A中文资料Alldatasheet PDF
更多NE85619功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85619-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85619-T1功能描述:TRANS NPN 1GHZ SMD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极(Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
NE85619-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
