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NE856分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

NE856

参数属性

NE856 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343

功能描述

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

封装外壳

SC-82A,SOT-343

文件大小

257.29 Kbytes

页面数量

25

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

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更新时间

2026-2-3 11:30:00

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产品属性

  • 产品编号:

    NE85618-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    6.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    SOT-343

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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