NE856分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE856 |
| 参数属性 | NE856 封装/外壳为SC-82A，SOT-343；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343 |
| 功能描述 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 封装外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 文件大小 |
831.88 Kbytes |
| 页面数量 |
26 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-30 23:00:00 |
| 人工找货 | NE856价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE856规格书详情
NE856属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE856晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号：
NE85618-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
6.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
- 增益：
13dB
- 功率 - 最大值：
150mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-82A，SOT-343
- 供应商器件封装：
SOT-343
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
30 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
NEC |
20+ |
SOT343 |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT-89 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
NEC |
2017+ |
SOT89 |
1020 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-343 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
CEL |
24+ |
原厂原装 |
4000 |
原装正品 |
询价 | ||
NEC(VA) |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
NE85633 |
25+ |
8460 |
8460 |
询价 | |||
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
询价 |
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