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NE850R5	文件：177.35 Kbytes Page：10 Pages	GaAs MES FET The NE850R599 power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on. The device incorporates Ti-AI gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS. (Plated Heat Sink) NEC’s strigent quality 文件：177.35 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE850R599	文件：177.35 Kbytes Page：10 Pages	GaAs MES FET The NE850R599 power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on. The device incorporates Ti-AI gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS. (Plated Heat Sink) NEC’s strigent quality 文件：177.35 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE850R599A	文件：194.93 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION The NE850R599A power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on. The device incorporates Ti-AI gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS. (Plated Heat Sink) NEC’s str 文件：194.93 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE850R59	文件：22.95 Kbytes Page：2 Pages	C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET 文件：22.95 Kbytes 页数：2 Pages	CEL	CEL
NE850R599A	文件：22.95 Kbytes Page：2 Pages	C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET 文件：22.95 Kbytes 页数：2 Pages	CEL	CEL
NE850R599A	文件：19.07 Kbytes Page：2 Pages	C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET 文件：19.07 Kbytes 页数：2 Pages	NEC 瑞萨	NEC
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详细参数

型号：
NE850R5
功能描述：
射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
技术类型：
pHEMT
频率：
500 MHz to 3 GHz
增益：
10 dB
噪声系数：
正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压：
- 8 V
漏极连续电流：
3 A
最大工作温度：
+ 150 C
功率耗散：
10 W

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