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NE5550234

Silicon Power MOS FET

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RENESAS

瑞萨

NE5550234

Silicon Power MOS FET

文件:2.501 Mbytes 页数:15 Pages

CEL

NE5550234_13

Silicon Power MOS FET

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RENESAS

瑞萨

NE5550234-A

RF & Microwave device

文件:137.58 Kbytes 页数:2 Pages

RENESAS

瑞萨

NE5550234-AZ

Silicon Power MOS FET

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RENESAS

瑞萨

NE5550234-AZ

Silicon Power MOS FET

文件:2.501 Mbytes 页数:15 Pages

CEL

NE5550234-T1

Silicon Power MOS FET

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RENESAS

瑞萨

NE5550234-T1

Silicon Power MOS FET

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CEL

NE5550234-T1-AZ

Silicon Power MOS FET

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RENESAS

瑞萨

NE5550234-T1-AZ

Silicon Power MOS FET

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CEL

技术参数

  • Maximum Output Rise Time:

    300 ns

  • Supply Current @ VCC = 5V (Output Low):

    3 mA

  • Supply Current @ VCC = 5V (Output High):

    2 mA

  • VCC Min:

    4.5 V

  • VCC Max:

    16 V

  • Operating Ambient Temperature Range:

    0 to 70 °C

  • Packages:

    SO-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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21+
DIP
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DIP-8
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KW
11+
DIP-8
62000
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24+
SOP-14
6000
美国德州仪器TEXASINSTRUMENTS原厂代理辉华拓展内地现
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TI(德州仪器)
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原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期
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TI/德州仪器
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SOP
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