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技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Rail to Rail：
Input/Output
Channels：
1
VS Min (V)：
1.8
VS Max (V)：
15
Iq Typ (mA)：
0.11
VOS Max (mV)：
3
GBW Typ (MHz)：
0.25
SR Typ (V/µs)：
0.09
IO Typ (mA)：
6
ΔVOS/ΔT (μV/C)：
2
eN (nV/√Hz)：
30
Ibias Typ (pA)：
40000
CMRR Typ (dB)：
95
Architecture：
Bipolar
Temperature Range (°C)：
0 to 70
Package Type：
SOIC-8

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更多NE5230供应商更新时间2025-12-1 10:51:00

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