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NE46234-AZ中文资料NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 3-PIN POWER MINIMOLD数据手册CEL规格书
| 厂商型号 |
NE46234-AZ |
| 参数属性 | NE46234-AZ 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT89 |
| 功能描述 | NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 3-PIN POWER MINIMOLD |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 制造商 | CEL California Eastern Labs |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 11:10:00 |
| 人工找货 | NE46234-AZ价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE46234-AZ规格书详情
简介
NE46234-AZ属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的NE46234-AZ晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
NE46234-AZ
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
6GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
2.3dB @ 1GHz
- 增益：
8.3dB
- 功率 - 最大值：
1.8W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
150mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
SOT-89
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT89
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
SOT89 |
26000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
PHI |
2447 |
DIP16 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
SIGNETI |
23+ |
DIP16 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
SIGNETICS |
2450+ |
DIP |
6540 |
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询价 | ||
SIGNETI |
24+ |
DIP16 |
22055 |
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询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-89 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT89 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
Essentra |
22+ |
NA |
767 |
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询价 | ||
NEC |
24+ |
6300 |
询价 | ||||
Panduit |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 |
