NE3515S02-T1C-A 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 CEL

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1+	面议

厂家型号：
NE3515S02-T1C-A
产品分类：
芯片
生产厂商：
CEL
库存数量：
80000
产品封装：
生产批号：
24+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-7-28 15:22:00

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原厂料号：NE3515S02-T1C-A品牌：CEL

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NE3515S02-T1C-A是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商CEL生产封装4-SMD，扁平引线的NE3515S02-T1C-A晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

芯片型号：
NE3515S02-T1C-A
规格书：
下载下载2
企业简称：
CEL详情
厂商全称：
California Eastern Labs
内容页数：
9 页
文件大小：
415.03 kb
资料说明：
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

产品属性

类型
描述
产品编号：
NE3515S02-T1C-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
HFET
频率：
12GHz
增益：
12.5dB
额定电流（安培）：
88mA
噪声系数：
0.3dB
功率 - 输出：
14dBm
封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
供应商器件封装：
S02
描述：
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

供应商

企业：
深圳市纳艾斯科技有限公司
商铺：
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联系人：
肖小姐
手机：
13117514091
询价：
电话：
0755-/82781136/2707495
传真：
0755-82707495
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深圳市福田区华强北路赛格大厦5803A

NE3515S02-T1C-A 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 CEL

NE3515S02-T1C-A

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