您好，欢迎来到114ic电子网！

首页>NE3515S02-T1C-A>芯片详情

NE3515S02-T1C-A_RENESAS/瑞萨_射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic正纳电子二部

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 厂家型号：

    NE3515S02-T1C-A

  • 产品分类：

    芯片

  • 生产厂商：

    Renesas(瑞萨)

  • 库存数量：

    9000

  • 产品封装：

    原厂封装

  • 生产批号：

    21+

  • 库存类型：

    优势库存

  • 更新时间：

    2025-7-23 10:16:00

数据手册 更多货源
  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号：NE3515S02-T1C-A品牌：Renesas(瑞萨)

保证原装正品深圳现货

  • 芯片型号：

    NE3515S02-T1C-A

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    CEL详情

  • 厂商全称：

    California Eastern Labs

  • 内容页数：

    9 页

  • 文件大小：

    415.03 kb

  • 资料说明：

    HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    NE3515S02-T1C-A

  • 功能描述：

    射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型：

    pHEMT

  • 频率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪声系数：

    正向跨导

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压：

    - 8 V

  • 漏极连续电流：

    3 A

  • 最大工作温度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供应商

  • 企业：

    深圳市正纳电子有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    苏S

  • 手机：

    13530813522

  • 询价：
  • 电话：

    0755-83790645(24小时)

  • 传真：

    0755-83200684

  • 地址：

    深圳市福田区振兴路113号新欣大厦B座318

相关型号

相近型号

客户服务 网站合作

  • Tel：0755 8246 9263

  • Email：kf＠114ic.com

  • 投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号