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NE3513M04-T2-A分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3513M04-T2-A |
| 参数属性 | NE3513M04-T2-A 封装/外壳为SOT-343F；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD |
| 功能描述 | N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
| 封装外壳 | SOT-343F |
| 文件大小 |
1.27151 Mbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-1 23:00:00 |
| 人工找货 | NE3513M04-T2-A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3513M04-T2-A规格书详情
NE3513M04-T2-A属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE3513M04-T2-A晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
NE3513M04-T2-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
N 沟道 GaAs HJ-FET
- 频率：
12GHz
- 增益：
13dB
- 额定电流（安培）：
60mA
- 噪声系数：
0.65dB
- 功率 - 输出：
125mW
- 封装/外壳：
SOT-343F
- 供应商器件封装：
M04
- 描述：
FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
8583 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
RENESAS |
2016+ |
PIN4 |
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RENESAS |
14+ |
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RENESAS |
23+ |
SOT-343 |
50000 |
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CEL |
22+ |
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9000 |
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FET |
ROHS |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
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CEL |
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RENESAS/瑞萨 |
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RENESAS/瑞萨 |
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