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NE3210S01-T1分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

NE3210S01-T1
厂商型号

NE3210S01-T1

参数属性

NE3210S01-T1 封装/外壳为4-SMD;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 4V 12GHZ S01

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

丝印标识

K

封装外壳

4-SMD

文件大小

197.14 Kbytes

页面数量

18

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-5 11:38:00

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NE3210S01-T1规格书详情

DESCRIPTION

The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its

excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.

FEATURES

• Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz

• Gate Length: Lg £ 0.20 mm

• Gate Width : Wg = 160 mm

产品属性

  • 产品编号:

    NE3210S01-T1B

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    HFET

  • 频率:

    12GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 额定电流(安培):

    15mA

  • 噪声系数:

    0.35dB

  • 封装/外壳:

    4-SMD

  • 供应商器件封装:

    SMD

  • 描述:

    FET RF 4V 12GHZ S01

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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