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NE3210S01-T1分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NE3210S01-T1 |
参数属性 | NE3210S01-T1 封装/外壳为4-SMD;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 4V 12GHZ S01 |
功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
丝印标识 | |
封装外壳 | 4-SMD |
文件大小 |
197.14 Kbytes |
页面数量 |
18 页 |
生产厂商 | Renesas Technology Corp |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 11:38:00 |
人工找货 | NE3210S01-T1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3210S01-T1规格书详情
DESCRIPTION
The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its
excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz
• Gate Length: Lg £ 0.20 mm
• Gate Width : Wg = 160 mm
产品属性
- 产品编号:
NE3210S01-T1B
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
HFET
- 频率:
12GHz
- 增益:
13.5dB
- 额定电流(安培):
15mA
- 噪声系数:
0.35dB
- 封装/外壳:
4-SMD
- 供应商器件封装:
SMD
- 描述:
FET RF 4V 12GHZ S01
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas |
24+ |
SMD |
40000 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2021+ |
SMT-86 |
3000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SMT-86 |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
NEC/RENESAS瑞萨 |
23+ |
SO36 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
RENESAS |
SMT86 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
BGA |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
NEC |
21+ |
4K/RSMT |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SMT86 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SMT-86 |
26000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
SMT-86 |
16500 |
原装现货假一赔十 |
询价 |