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NE321000中文资料CEL数据手册PDF规格书

NE321000
厂商型号

NE321000

功能描述

ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET

文件大小

141.29 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 California Eastern Labs
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Labs官网

原厂标识
CEL
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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NE321000规格书详情

DESCRIPTION

NECs NE321000 is a Hetero-Junction FET chip that utilizes the junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create high electron mobility. Its excellent low noise figure and high associated gain make it suitable for commercial, industrial and space applications.

NECs stringent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

FEATURES

• SUPER LOW NOISE FIGURE: 0.35 dB Typ at f = 12 GHz

• HIGH ASSOCIATED GAIN: 13.0 dB Typ at f = 12 GHz

• GATE LENGTH: ≤0.2 µm

• GATE WIDTH: 160 µm

产品属性

  • 型号:

    NE321000

  • 制造商:

    CEL

  • 制造商全称:

    CEL

  • 功能描述:

    ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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