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NDT03N40Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Power MOSFET, 400 V, 3.4 OHM N-Channel Power MOSFET, 400 V, 3.4 OHM 100% Avalanche Tested\nThese Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant\nExtremely High dv/dt Capability\nGate Charge Minimized\nVery Low Intrinsic Capacitance\nImproved Diode Reverse Recovery Characteristics\nZener−protected;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDT03N40Z	文件：128.43 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：128.43 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
03N40AH-HF	文件：2.50815 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：2.50815 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
03N40AJ-HF	文件：2.51616 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) Power MOSFET 文件：2.51616 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
03N40-HF	文件：2.52185 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：2.52185 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
N-Channel Power MOSFET
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
Condition
VGS Max (V)：
30
VGS(th) Max (V)：
Condition
ID Max (A)：
0.5
PD Max (W)：
37
GS = 2.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)：
140
Package Type：
SOT-223-4 / TO-261-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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