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NDFPD1N150C	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，功率 MOSFET，1500V，0.1A，150Ω; • On-resistance RDS(on)=100Ω (typ)\n• Input Capacitance Ciss=80pF (typ)\n• 10V drive\n; NDFPD1N150C is N-Channel Power MOSFET, 1500V, 0.1A, 150Ω, TO-220F-3FS.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDFPD1N150C	文件：318.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=150Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDFPD1N150C	文件：351.43 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDFPD1N150CG	文件：351.43 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
RT1N150C	文件：757.15 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N150Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P150X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=100kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N150M	文件：757.15 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N150Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P150X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=100kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N150S	文件：757.15 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N150Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P150X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=100kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N150U	文件：757.15 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N150Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P150X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=100kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N150X	文件：757.15 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N150Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P150X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=100kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
1500
VGS Max (V)：
30
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
0.1
PD Max (W)：
20
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
150000
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
4.2
Ciss Typ (pF)：
80
Package Type：
TO-220-3 FullPak

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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