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NDFPD1N150C

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=0.1A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=1500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =150Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:318.65 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NDFPD1N150C

N-Channel Power MOSFET

文件:351.43 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDFPD1N150CG

N-Channel Power MOSFET

文件:351.43 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDFPD1N150C

N 沟道,功率 MOSFET,1500V,0.1A,150Ω

NDFPD1N150C is N-Channel Power MOSFET, 1500V, 0.1A, 150Ω, TO-220F-3FS. • On-resistance RDS(on)=100Ω (typ)\n• Input Capacitance Ciss=80pF (typ)\n• 10V drive;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    1500

  • VGS Max (V):

    30

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    0.1

  • PD Max (W):

    20

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    150000

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    4.2

  • Ciss Typ (pF):

    80

  • Package Type:

    TO-220-3 FullPak

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更多NDFPD1N150C供应商 更新时间2025-10-11 9:34:00