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NDD60N550U1	文件：139.22 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：139.22 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD60N550U1	文件：109.49 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：109.49 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD60N550U1	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，600V，8.2A，550mΩ，单 N 沟道，DPAK Power MOSFET 600V 8.2A 550mOhm Single N-Channel DPAK 100% Avalanche Tested\nThese Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD60N550U1-1	文件：317.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.55Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：317.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDD60N550U1-1G	文件：139.22 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：139.22 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD60N550U1-1G	文件：109.49 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：109.49 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD60N550U1-35G	文件：139.22 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：139.22 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD60N550U1T4G	文件：109.49 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：109.49 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD60N550U1T4G	文件：139.22 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：139.22 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Power MOSFET 600V 8.2A 550mOhm Single N-Channel DPAK
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
600
VGS Max (V)：
25
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
8.2
PD Max (W)：
94
GS = 2.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)：
540
Package Type：
IPAK-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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技术参数

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