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NDD02N60Z

功率 MOSFET,600V,2.2A,4.8Ω,单 N 沟道,DPAK

功率 MOSFET,600V,4.8Ω,单 N 沟道 • Low ON Resistance\n• 100% Avalanche Tested\n• ESD diode-protected gate;

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NDD02N60

  • 功能描述:

    MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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更多NDD02N60供应商 更新时间2025-11-1 10:05:00