isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：318.14 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.8 

文件：146.41 Kbytes 页数：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

文件：1.08208 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0 

文件：168.55 Kbytes 页数：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET

文件：148.07 Kbytes 页数：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET

文件：148.07 Kbytes 页数：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0 

文件：168.55 Kbytes 页数：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 650V (D-S) MOSFET

文件：1.08607 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.77774 Mbytes 页数：5 Pages

DOINGTER

杜因特