Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These dual P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fas

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Fairchild

仙童半导体

Dual P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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VBSEMI

微碧半导体

丝印：03PL；Package：SOT23-6；Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET

Product Summary Vdss=60V ID= 0.5A Rps(oNn)=1.7Q@VGs=-10V

文件：3.19294 Mbytes 页数：5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

MOSFET - Dual P-Channel, POWERTRENCH

文件：285.28 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

双 P 沟道增强型场效应晶体管 -60V，-0.34A，5Ω

这些双P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的Trench技术生产。 这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。 该产品特别适合需要低电流高边开关的低电压应用。 •0.34 A，50 V。\n•RDS(ON) = 5 Ω @ VGS = -10 V\n•RDS(ON) = 7 Ω @ VGS = -4.7 V\n•低栅极电荷\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•SuperSOT™ -6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。;

ONSEMI

安森美半导体