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厂家：仙童封装：SOT23-6批号：13+库存数量：10000进口原装现货 李小姐：13528737027QQ：1587536465
NDC7002N 双N沟道增强型场效应晶体管 一般描述 绝对的和最大RatingsTA=25°C除非另有说明 符号参数NDC7002N单元 VDSS漏源电压50V VGSS栅源电压-连续20V ID漏电流-连续（注1a）0.51一个 -脉冲1.5 PD最大功率耗散（注
这里有NDC7002是什么芯片，NDC7002中文资料规格书PDF技术资料引脚参数图及功能。
NDC7002N功能描述:MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDC7002N-CUT TAPE制造商:FAIRCHILD 功能描述:NDC7002N Series Dual N-Channel 50 V 2 Ohm Field Effect Transistor -SS0T-6
NDC7002N_SB9G007功能描述:MOSFET 50V DUAL N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDC7002N_Q功能描述:MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
