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NCV8114ASN250T1G	文件：442.04 Kbytes Page：12 Pages	丝印：DEH；Package：TSOP-5；CMOS Low Dropout Regulator 文件：442.04 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV8114ASN280T1G	文件：442.04 Kbytes Page：12 Pages	丝印：DEF；Package：TSOP-5；CMOS Low Dropout Regulator 文件：442.04 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV8114ASN300T1G	文件：442.04 Kbytes Page：12 Pages	丝印：DEG；Package：TSOP-5；CMOS Low Dropout Regulator 文件：442.04 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV8114ASN330T1G	文件：442.04 Kbytes Page：12 Pages	丝印：DEA；Package：TSOP-5；CMOS Low Dropout Regulator 文件：442.04 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV8114BSN120T1G	文件：442.04 Kbytes Page：12 Pages	丝印：DFC；Package：TSOP-5；CMOS Low Dropout Regulator 文件：442.04 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NCV8114BSN180T1G	文件：442.04 Kbytes Page：12 Pages	丝印：DFE；Package：TSOP-5；CMOS Low Dropout Regulator 文件：442.04 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV8114BSN280T1G	文件：442.04 Kbytes Page：12 Pages	丝印：DFF；Package：TSOP-5；CMOS Low Dropout Regulator 文件：442.04 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Output：
Single
Polarity：
Positive
VO (V)：
1.2
IO Typ (A)：
0.3
VI Min (V)：
1.7
VI Max (V)：
5.5
VDO Typ (V)：
0.135
Iq Typ (mA)：
0.05
PSRR (dB)：
75
Noise (µVrms)：
70
Enable：
Yes
PowerGood：
No
Package Type：
TSOP-5/SOT-23-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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