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NCV7513

FLEXMOS Hex Low?뭆ide MOSFET Pre?묭river

文件:245.26 Kbytes 页数:24 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCV7513

FLEXMOS Hex Low?뭆ide MOSFET Pre?묭river

文件:246.63 Kbytes 页数:24 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCV7513

FLEXMOS Hex Low−Side MOSFET Pre−Driver

ONSEMI

安森美半导体

NCV7513_07

FLEXMOS Hex Low?뭆ide MOSFET Pre?묭river

文件:246.63 Kbytes 页数:24 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCV7513A

FLEXMOS Hex Low-Side MOSFET Pre-Driver

文件:274.55 Kbytes 页数:23 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCV7513AFTG

FLEXMOS Hex Low-Side MOSFET Pre-Driver

文件:274.55 Kbytes 页数:23 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCV7513AFTR2G

FLEXMOS Hex Low-Side MOSFET Pre-Driver

文件:274.55 Kbytes 页数:23 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCV7513B

Hex Low-Side MOSFET Pre-Driver

文件:187.35 Kbytes 页数:24 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCV7513B

FLEXMOS Hex Low-Side MOSFET Pre-Driver

文件:264.84 Kbytes 页数:23 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCV7513B_16

Hex Low-Side MOSFET Pre-Driver

文件:187.35 Kbytes 页数:24 Pages

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安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Power Switch:

    MOSFET/IGBT

  • Number of Outputs:

    6

  • Isolation Type:

    Non-Isolated

  • Vin Max (V):

    0.8

  • VCC Max (V):

    5.25

  • Drive Source/Sink Typ (mA):

    1

  • Rise Time (ns):

    1400

  • Fall Time (ns):

    1400

  • tp Max (ns):

    1000

  • Package Type:

    LQFP-32

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更多NCV7513供应商 更新时间2025-10-8 10:46:00