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NCV51511	文件：224.05 Kbytes Page：15 Pages	High-Frequency, High Side and Low Side Gate Driver 文件：224.05 Kbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV51511	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 高频率，高压侧和低压侧门极驱动器 The NCV51511 is high side and low side gate-drive IC designed for high voltage, high-speed, driving MOSFETs operating up to 80 V.\nThe NCV51511 integrates a driver IC and a bootstrap diode. The driver\nIC features low delay time and matched PWM input propagation delays,\nwhich further enhance the pe • Integrated Bootstrap Diode for High Side Gate Drive\n• More integrated design\n• Bootstrap Supply Voltage Range up to 100V\n• Ideal for 48V applications\n• 3 A Source, 6 A Sink Output Current Capability\n• Capable of driving big MOSFET's\n• Drives 1nF Load with Typical Rise/Fall Times of 6 ns/4 ns;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV51511PDR2G	文件：224.05 Kbytes Page：15 Pages	High-Frequency, High Side and Low Side Gate Driver 文件：224.05 Kbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV51511PDR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV51511SYNCBUCKGEVB	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒功能：栅极驱动器类别：开发板，套件，编程器评估和演示板及套件描述：EVAL NCV51511	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Power Switch：
MOSFET
Number of Outputs：
2
Topology：
High-Low
Isolation Type：
Junction Isolation
Vin Max (V)：
100
VCC Max (V)：
18
Drive Source/Sink Typ (mA)：
3000/6000
Rise Time (ns)：
6
Fall Time (ns)：
4
tp Max (ns)：
45
Package Type：
SOIC-8 EP

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