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技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Rail to Rail：
Input/Output
Channels：
2
VS Min (V)：
1.8
VS Max (V)：
5.5
Iq Typ (mA)：
0.125
VOS Max (mV)：
3.5
GBW Typ (MHz)：
3
SR Typ (V/µs)：
1.2
IO Typ (mA)：
15
ΔVOS/ΔT (μV/C)：
1
eN (nV/√Hz)：
20
Ibias Typ (pA)：
1
CMRR Typ (dB)：
79
Architecture：
CMOS
Temperature Range (°C)：
-40 to 125
Package Type：
Micro8™

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