高性能150V半桥栅极驱动器，用于GaN电源开关

NCP51810 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e−mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51810 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 −3.5 V 至 +200 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51810 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。 • 150 V, high side and low side gate driver\n• Support 48 V input design with sufficient safety margin\n• Fast propagation delay of 50 ns max\n• Suitable for high frequency operation\n• Fast propagation delay of 50 ns max\n• Increased efficiency and allow paralleling\n• 200 V/ns dV/dt Rating for all;

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安森美半导体

包装：散装 功能：镇流器控制 类别：开发板，套件，编程器 评估和演示板及套件 描述：BOARD EVAL NCP5181 36 W BALLAST

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

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