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NCP5104	文件：122.96 Kbytes Page：15 Pages	High Voltage, Half Bridge Driver 文件：122.96 Kbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP5104	文件：110.04 Kbytes Page：15 Pages	High Voltage, Half Bridge Driver 文件：110.04 Kbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP5104	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single Input High and Low Side Power MOSFET Driver The NCP5104 is a High Voltage Power gate Driver providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs arranged in a half-bridge configuration.It uses the bootstrap technique to insure a proper drive of the High-side power switch. • High Voltage range: up to 600 V\n• Rugged and flexible design\n• dV/dt Immunity 50 V/nsec\n• Robust design\n• Gate drive supply range from 10 V to 20 V\n• Wide supply range\n• High and Low drive outputs\n• Suitable for half bridge converter topology\n• Output source / sink current capability: 250 ;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP5104_15	文件：110.04 Kbytes Page：15 Pages	High Voltage, Half Bridge Driver 文件：110.04 Kbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP5104BA36WGEVB	文件：110.04 Kbytes Page：15 Pages	High Voltage, Half Bridge Driver 文件：110.04 Kbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP5104DR2G	文件：110.04 Kbytes Page：15 Pages	High Voltage, Half Bridge Driver 文件：110.04 Kbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Power Switch：
MOSFET/IGBT
Number of Outputs：
2
Topology：
Half-Bridge
Isolation Type：
Junction Isolation
Vin Max (V)：
600
VCC Max (V)：
20
Drive Source/Sink Typ (mA)：
250/500
Rise Time (ns)：
85
Fall Time (ns)：
35
tp Max (ns)：
170
Package Type：
SOIC-8

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更多NCP5104供应商更新时间2025-10-9 11:10:00

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