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NCEP25N10AR

30-120V N-Channel SGT-II MOSFET

NCEPower

新洁能

PJD25N10A

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:411.69 Kbytes 页数:8 Pages

PANJIT

強茂

PJD25N10A

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@15A

文件:412.53 Kbytes 页数:8 Pages

PANJIT

強茂

SID25N10-C

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件:314.93 Kbytes 页数:4 Pages

SECOS

喜可士

技术参数

  • Technology:

    SGT-II

  • Product status:

    Production

  • Package:

    SOT-223

  • Polarity:

    N

  • BVDSS(V):

    100

  • ID(A):

    30

  • VTH(V):

    1.7

  • RDS(ON)@10VTyp(mΩ):

    22

  • RDS(ON)@10VMax(mΩ):

    25

  • RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):

    27

  • RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):

    30

  • VGS(th)(V):

    ±20

  • CISS(pF):

    1317.6

  • QG(nC):

    27.6

  • PD(W):

    2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NCE新洁能8月更新
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SOT223
2500
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更多NCEP25N10AR供应商 更新时间2025-11-10 11:43:00