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NCEP2390	文件：300 bytes Page：1 Pages	30-250V N-Channel SGT-I MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCEP2390D	文件：300 bytes Page：1 Pages	30-250V N-Channel SGT-I MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NTE2390	文件：25.98 Kbytes Page：3 Pages	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Description: The NTE2390 is an N–Channel Enhancement Mode Power MOS Field Effect Transistor in a TO220 type package designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers. Features: • Silicon Gate for Fast 文件：25.98 Kbytes 页数：3 Pages	NTE	NTE
PT2390	文件：202.59 Kbytes Page：7 Pages	Echo IC with Built-in Microphone Amplifier & Output Mixer DESCRIPTION PT2390 is a digital echo IC utilizing CMOS Technology. Microphone Amplifier, Output Mixer, internal 44K RAM and Vocal Switch are all integrated in a single chip to provide a digital echo IC of the the highest standard. Very low distortion and high S/N Ratio qualities, not to mention t 文件：202.59 Kbytes 页数：7 Pages	PTC 普诚科技	PTC
PT2390-S	文件：202.59 Kbytes Page：7 Pages	Echo IC with Built-in Microphone Amplifier & Output Mixer DESCRIPTION PT2390 is a digital echo IC utilizing CMOS Technology. Microphone Amplifier, Output Mixer, internal 44K RAM and Vocal Switch are all integrated in a single chip to provide a digital echo IC of the the highest standard. Very low distortion and high S/N Ratio qualities, not to mention t 文件：202.59 Kbytes 页数：7 Pages	PTC 普诚科技	PTC

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220
Polarity：
N
BVDSS(V)：
230
ID(A)：
90
VTH(V)：
3
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
13
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
15.5
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
4200
QG(nC)：
63.2
PD(W)：
300

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