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NCEP10N12D

30-120V N-Channel SGT-II MOSFET

NCEPower

新洁能

RFM10N12

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors

文件:89.46 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

RFM10N12

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors

文件:89.46 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

RFM10N12

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors Features ■ SOA is power-dissipation limited ■ Nanosecond switching speeds ■ Linear transfer characteristics ■ High input impedance ■ Majority carrier device

文件:211.91 Kbytes 页数:4 Pages

GESS

技术参数

  • Product status:

    Production

  • Package:

    TO-263

  • Polarity:

    N

  • BVDSS(V):

    120

  • ID(A):

    55

  • VTH(V):

    3

  • RDS(ON)@10VTyp(mΩ):

    8.2

  • RDS(ON)@10VMax(mΩ):

    10

  • VGS(th)(V):

    ±20

  • CISS(pF):

    3080

  • QG(nC):

    55

  • PD(W):

    120

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NCE
2026+
-
105000
华南总代
询价
NCE新洁能
22+
TO-263
95000
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
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NCE/新洁能
2511
TO-263
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NCE/新洁能
25+
TO-263
60000
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询
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NCE新洁能
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TO-263
100000
新结能全线供应,支持终端生产
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TO-252
20000
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24+
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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更多NCEP10N12D供应商 更新时间2026-3-13 9:18:00