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NCEP01P35A	文件：300 bytes Page：1 Pages	30-100V P-Channel SGT-I MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCEP01P35AK	文件：300 bytes Page：1 Pages	30-100V P-Channel SGT-I MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE01P35K	文件：795.38 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01P35K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-100V,ID =-35A RDS(ON) 文件：795.38 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCEP026N10	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	NCE/新洁能上传：深圳市芯峰微电子科技有限公司	NCE/新洁能
NCEP02T10D	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	NCE(无锡新洁能) 上传：深圳市信科顺电子有限公司	NCE(无锡新洁能)

技术参数

Product status：
New
Package：
TO-220
Polarity：
P
BVDSS(V)：
-100
ID(A)：
35
VTH(V)：
±20
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
35
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
45
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
40
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
50
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
3445
QG(nC)：
34.5
PD(W)：
150

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