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NCE8205i

Dual N and P-Channel MOSFET

NCEPower

新洁能

NGD8205AN

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK

文件:117.69 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGD8205AN

Integrated ESD Diode Protection

文件:258.649 Kbytes 页数:7 Pages

Littelfuse

力特

NGD8205N

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N?묬hannel DPAK

文件:142.88 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Product status:

    Production

  • Package:

    TSSOP-8

  • Polarity:

    N+N

  • BVDSS(V):

    20

  • ID(A):

    5

  • VTH(V):

    0.7

  • RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):

    18

  • RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):

    24

  • RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):

    22

  • RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):

    32

  • VGS(th)(V):

    ±12

  • CISS(pF):

    550

  • QG(nC):

    9.5

  • PD(W):

    1.25

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NCE新洁能
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更多NCE8205I供应商 更新时间2025-10-30 15:41:00