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NCE75H21	文件：347.19 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：347.19 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE75H21	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET \n The NCE75H21 uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON) with low gate charge. It can be used in Automotive applications and a wide variety of other applications. \n• V DSS =75V,I D =210A\nR DS(ON) < 4m? @ V GS =10V\n• Good stability and uniformity with high E AS\n• Special process technology for high ESD capability\n• High density cell design for ultra low Rdson\n• Fully characterized avalanche voltage and current\n• Excellent package for good heat dissipati;	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE75H21B	文件：420.43 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：420.43 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE75H21D	文件：342.53 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：342.53 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE75H21T	文件：354.5 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：354.5 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE75H21TB	文件：348.95 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：348.95 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE75H21T	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET \n The NCE75H21T uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON) with low gate charge. It can be used in Automotive applications and a wide variety of other applications. \n• V DSS =75V,I D =210A\nR DS(ON) < 4m? @ V GS =10V\n• Good stability and uniformity with high E AS\n• Special process technology for high ESD capability\n• High density cell design for ultra low Rdson\n• Fully characterized avalanche voltage and current\n• Excellent package for good heat dissipati;	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE75H21D	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220
Polarity：
P
BVDSS(V)：
75
ID(A)：
210
VTH(V)：
3
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
3
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
4
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
11000
QG(nC)：
250
PD(W)：
310

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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