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NCE70H10F	文件：393.77 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE70H10F；Package：TO-220F；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE70H10F uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. General Features ● VDS =70V,ID =100A RDS(ON) 文件：393.77 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE70H10F	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE9926	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-8	NCE 上传：深圳市芯巴巴科技有限公司	NCE
NCEMASLD-32G	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA153	FORESEE/江波龙上传：深圳市富芯乐电子科技有限公司	FORESEE/江波龙
NCEP0178A	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	NCE(新洁能）上传：上海闻业电子科技有限公司	NCE(新洁能）

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220F
Polarity：
P
BVDSS(V)：
70
ID(A)：
100
VTH(V)：
3
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
4.8
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
5.5
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
4900
QG(nC)：
100
PD(W)：
45

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更多NCE70H10F供应商更新时间2026-3-9 15:23:00

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