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NCE60P40	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道 MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE60P40F	文件：287.48 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE60P40F；Package：TO-220F；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P40F uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-40A RDS(ON) 文件：287.48 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE60P40F	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-150V P-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE60P40K	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道 MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220F
Polarity：
P
BVDSS(V)：
-60
ID(A)：
-40
VTH(V)：
-2.6
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
30
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
35
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
2049
QG(nC)：
35
PD(W)：
60

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