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NCE60H10D	文件：611.83 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE60H10D；Package：TO-263-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE60H10Dusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This deviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneral purposeapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=100A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司
NCE60H10D	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPowerWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司
NCE60H10F	文件：986.95 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
NCE60H10F	文件：395.2 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司
NCE60H10K	文件：622.2 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE60H10Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This deviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneral purposeapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=100A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

更多NCE60H10D供应商更新时间2025-8-2 9:00:00