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NCE6080AT	文件：805.82 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE6080AT；Package：TO-247；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6080AT uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =60V,ID =80A RDS(ON)=5.5mΩ (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=6.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V ● High density c 文件：805.82 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE6080AT	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE6080D	文件：571.68 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6080D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =60V,ID =80A RDS(ON) 文件：571.68 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE6080ED	文件：602.21 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6080ED uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =60V,ID =80A RDS(ON) 文件：602.21 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE6080EK	文件：599.58 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6080EK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =60V,ID =80A RDS(ON) 文件：599.58 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-247
Polarity：
N
BVDSS(V)：
60
ID(A)：
80
VTH(V)：
1.3
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
6.5
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
8.0
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
7.5
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
9.5
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
4000
QG(nC)：
90.3
PD(W)：
110

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